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產(chǎn)品中心

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外延產(chǎn)品

規(guī) 格 產(chǎn)品型號 樣品圖片
D-HEMT/650V/Si-150mm-1000μm 150 mm D-HEMT on Si
E-HEMT/650V/Si-150mm-1000μm 150 mm E-HEMT on Si
D-HEMT/200V/Si-150mm-1000μm 150 mm D-HEMT on Si
E-HEMT/200V/Si-150mm-1000μm 150 mm E-HEMT on Si
RF-HEMT/200V/Si-150mm-1000μm 150 mm rf-HEMT on Si
D-HEMT/650V/Si-200mm-975μm 200 mm D-HEMT on Si
E-HEMT/650V/Si-200mm-975μm 200 mm E-HEMT on Si
D-HEMT/200V/Si-200mm-725μm 200 mm D-HEMT on Si
E-HEMT/200V/Si-200mm-725μm 200 mm E-HEMT on Si
RF-HEMT/200V/SiC-50mm-360μm 50 mm rf-HEMT on SiC
RF-HEMT/200V/SiC-100mm-500μm 100 mm rf-HEMT on SiC
RF-HEMT/200V/SiC-150mm-500μm 150 mm rf-HEMT on SiC
D-HEMT/Sapphire-50mm-430μm D-HEMT on sapphire
D-HEMT/Sapphire-100mm-650μm D-HEMT on sapphire
D-HEMT/Sapphire-150mm-1000μm D-HEMT on sapphire
E-HEMT/Sapphire-50mm-430μm E-HEMT on sapphire
E-HEMT/Sapphire-100mm-650μm E-HEMT on sapphire
E-HEMT/Sapphire-150mm-1000μm E-HEMT on sapphire
SBD/650V/sapphire-50mm-430μm SBD on sapphire
SBD/650V/sapphire-100mm-650μm SBD on sapphire
SBD/650V/sapphire-150mm-1200μm SBD on sapphire

功率器件

產(chǎn)品型號 耐 壓 導通電阻 閾值電壓 類型 封裝形式 封裝圖
CE65E300DNYI 650V 300mΩ 2.5V 增強型 單管 DFN 5*6
CE65E160DNHI 650V 160mΩ 2.5V 增強型 單管 DFN 8*8
CE65E160DNYI 650V 160mΩ 2.5V 增強型 單管 DFN 5*6
CE65H110TOAI 650V 110mΩ 3.9V 耗盡型 級聯(lián) TO220
CE65H110DNDI 650V 110mΩ 3.9V 耗盡型 級聯(lián) DFN8*8
CE65H160TOAIF 650V 160mΩ 3.9V 耗盡型 級聯(lián) TO220F
CE65H160DNGI 650V 160mΩ 2.3V 耗盡型 級聯(lián) DFN 8*8
CE65H270TOBI 650V 270mΩ 3.9V 耗盡型 級聯(lián) TO252
CE65H270TOEI 650V 270mΩ 3.9V 耗盡型 級聯(lián) TO252
CE65H270DNGI 650V 270mΩ 2.3V 耗盡型 級聯(lián) DFN 8*8
CE65H270TOAIF 650V 270mΩ 3.9V 耗盡型 級聯(lián) TO220F
CE65H600TOEI 650V 600mΩ 3.9V 耗盡型 級聯(lián) TO252
CE65H600TOAIF 650V 600mΩ 3.9V 耗盡型 級聯(lián) TO220F
CE65H900TOEI 650V 900mΩ 3.9V 耗盡型 級聯(lián) TO252
CE65H160DNCI 650V 160mΩ 3.9V 耗盡型 級聯(lián) DFN5*6
CE65H270DNCI 650V 270mΩ 3.9V 耗盡型 級聯(lián) DFN5*6
CE65H600DNCI 650V 600mΩ 3.9V 耗盡型 級聯(lián) DFN5*6
CE65H900DNCI 650V 900mΩ 3.9V 耗盡型 級聯(lián) DFN5*6
CE65H080TOCI 650V 80mΩ 4V 耗盡型 級聯(lián) TO247-3
CE65H450TOEI 650V 450mΩ 3.9V 耗盡型 級聯(lián) TO252
CE65H450DNCI 650V 450mΩ 3.9V 耗盡型 級聯(lián) DFN 5*6
CE65H180TOEI 650V 180mΩ 3.9V 耗盡型 級聯(lián) TO252
CE65H180TOHI 650V 180mΩ 2.3V 耗盡型 級聯(lián) TO252
CE65H160DNDI 650V 160mΩ 3.9V 耗盡型 級聯(lián) DFN8*8
CE65H270DNDI 650V 270mΩ 3.9V 耗盡型 級聯(lián) DFN8*8

代加工平臺

產(chǎn)品類別

加工工序

01光刻（50mm-200mm）

02金屬濺射（Ti、Al、TiN、Cu等）
金屬蒸發(fā)（Ti、Al、Ni、Pt、Mo、Ta、Ag、Co、Cr等）

03干法刻蝕GaN、Si、SiC、SiO2、Si3N4、AL、TiN、Ni、Cr、Pt等

04濕法刻蝕及清洗

05薄膜PECVD沉積SiO2、Si3N4、ALD沉積Al2O3、AlN和Si3N4等

06離子注入N、BF2、Ar

07TSV工藝

08磨片、劃片

09晶圓、器件測試

10激光開槽

11烤盤清洗

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